| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2009년 봄 (05/21 ~ 05/22, 무주리조트) |
| 권호 |
15권 1호 |
| 발표분야 |
반도체재료 |
| 제목 |
Sol-Gel 법을 이용한 IGZO 박막 트랜지스터 제조 및 특성 평가 |
| 초록 |
InGaZnO(IGZO)는 캐리어 이동도가 높고 고온 열처리에도 비정질을 유지함으로써 대형화에 유리하여 최근 채널 물질로 각광받고 있는 물질이다. 본 실험에서는 Sol-Gel법을 이용하여 IGZO 박막을 형성시킨 후 전기적 특성을 살펴보았다. Sol-Gel법은 기존의 채널 증착 방식인 Sputter 방법보다 대형화에 유리하며 저온공정과 저가공정이라는 장점이 있어 많이 사용되고 있다. 실험 용액은 농도를 0.5M로 유지하였으며 In의 조성비를 변화시켜 제조한 후 실험을 진행하였다. 시편은 In 조성을 변화시켜 만든 IGZO 용액을 각각 코팅한 후 hot plate로 400 °C 1시간 동안 열처리 하였다. 평가 결과 In의 조성비가 증가할수록 캐리어 이동도가 높아지며 문턱전압이 낮아지는 것을 확인할 수 있었다. |
| 저자 |
전하석, 이후정
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| 소속 |
성균관대 |
| 키워드 |
Sol-gel; IGZO; TFT
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| E-Mail |
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