화학공학소재연구정보센터
학회 한국화학공학회
학술대회 2000년 봄 (04/21 ~ 04/22, 한양대학교)
권호 6권 1호, p.1961
발표분야 재료
제목 Modified Hydride VPE 법에 의한 GaN 성장에 관한 연구
초록 본 연구에서는 기존의 HVPE법을 개선하여 GaN 기판 제조를 위해 직접 설계 제작한 반응 장치와 이를 이용한 결정 성장 방법과 10×10 ㎟인 사파이어 기판위에 성장된 GaN 박막의 특성과 후막 성장에 관하여 연구하였다.
저자 최진식, 서정찬, 윤덕선, 여석기, 박진호
소속 영남대
키워드 GaN; HVPE; XRD
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