| 초록 |
유기 트랜지스터(Organic Thin Film Transistor)는 제작 공정이 간단하고 비용이 저렴하며 충격에 의해 깨지지 않고 구부리거나 접을 수 있는 플라스틱 전자 회로기판의 요구에 의해 최근 들어 급속도로 발전하고 있는 분야이다. 이런 유기 트랜지스터의 상용화를 위해서는 다른 재료들도 물론 개발이 필요하지만 무엇보다 우수한 이동도 및 점멸비 특성을 가지면서 용액공정이 가능한 새로운 유기 반도체 층 재료의 개발이 시급하다. 고분자 재료는 저분자에 비해 용액공정으로 소자를 제작할 수 있어 가격면에서 상용화에 있어 큰 장점을 가진다. 그러나 아직 고분자 재료의 TFT 성능은 저분자 재료의 성능을 따라가지 못하고 있다. 이에 본 연구에서는 저분자 및 올리고머 반도체 재료로 우수한 특성을 보인 안트라센을 가지는 고분자를 합성하였으며 반도체 재료로서의 가능성을 조사하고자 한다. 본 발표에서는 합성된 고분자 재료의 p-type 유기 반도체 재료로서의 응용 가능성과 합성된 재료의 구조 및 열적 특성, 전기화학적 특성에 대해 조사하였다. |
