| 초록 |
Vanadium pentoxide는 최근에 광범위한 분야에서 중요 재료로 각광을 받고 있다. 특히 넓은 광학적 band-gap 과 높은 화학적 및 열적 안정성 등의 성질을 이용한 전기화학 및 광전기 디바이스 등의 개발 연구가 진행되고 있다. 현재 vanadium pentoxide 나노구조의 합성에 있어서 microcontact printing method, Template-based growth method 과 Sol-Gel method 등을 이용한 합성 연구는 활발히 진행되고 있으나, vacuum evaportion을 이용한 나노구조 합성 연구는 전무한 실정이다. 본 연구에서는 각기 다른 씨앗층과 기판 위에 vanadium pentoxide 나노구조를 vacuum evaporation을 이용하여 합성하였다. 사용된 씨앗층은 ZnO, TiO2, FTO, ITO와 씨앗층이 존재하지 않는 Si 기판과 Ge 기판을 사용하였다. 각각의 씨앗층과 기판의 차이에 따른 vanadium pentoxide 나노구조 및 합성 온도의 변화에 따라 합성되는 vanadium pentoxide 나노구조의 형태 및 결정 구조 등을 FE-SEM, FT-IR 및 XRD를 이용하여 분석하였다. |
