초록 |
접합면적이 증가된 Cu2S/CdS 태양전지에 응용할 목적으로 CuxS 나노와이어의 성장과 특성에 관한 연구를 수행하였다. CuxS 나노와이어는 Cu 기판 위에 O2 와 H2S 의 혼합기체를 주입하여 제작하였으며, 공정변수를 조절하여 나노와이어의 길이, 지름 및 밀도는 반응시간, 온도 및 혼합기체의 몰 비율과 기판의 방위에 의해 영향을 받는다는 것을 알 수 있었다. n-type 물질과의 균일한 접합을 위해 나노와이어의 길이와 지름이 약 1µm 와 100nm 가 되도록 공정변수를 조절하였으며, 제작된 기판을 약 500℃ 에서 1시간 동안 열처리 하였다. I-V 측정을 통해 Cu/CuxS 는 ohmic contact 임을 확인하였고, CuxS 나노와이어의 광특성 및 정확한 조성과 결정구조 분석을 위해 반사도, EDS, XRD, ICP 측정을 하였다. 전착 공정을 통해 나노와이어 기판 위에 n-CdS 를 50~100nm 정도의 두께로 성장시켜 p-n 접합구조를 완성하였다. 제작된 접합는 SEM 이미지 분석을 통해 접합 면적이 증가되었음을 알 수 있었으며, I-V 측정을 통해 p-n 다이오드 특성을 갖는 것을 확인할 수 있었다. |