| 초록 |
친환경 자동차, 풍력 및 태양광 발전의 사용증가와 함께 전력반도체에 대한 수요가 최근 급격히 증가되고 있다. 특히 전기자동차 및 하이브리드 전기자동차에 고 전력 반도체의 적용이 증가되고 있다. 자동차에 적용되는 실리콘카바이드 (SiC) 및 갈륨나이트라이드 (GaN) 반도체는 사용중에 고온의 열이 발생하여 작동 중에 최대 300 ℃ 이상까지 상승하게 된다. 따라서 전기자동차 및 하이브리드 전기자동차의 전원 모듈의 접합소재는 고온 안정성 및 고온 신뢰성이 요구되며, 고 신뢰성의 접합소재 및 접합방법이 중요해지고 있다. 따라서 본 연구에서는 스퍼터를 사용하여 Chip과 DBC에 Sn/ Cu layer를 형성한 후, TLP 본딩을 이용하여 접합하였다. Sn은 2.5um, Cu는 1.5um로 3layer, 3layer/ 3layer, 5layer/ 5layer, 7layer/ 7layer의 조건으로 접합을 진행하였다. 접합 결과, 모든 조건에서 보이드가 관찰되지 않았으며, 균일한 접합부가 형성된 것을 확인하였다. 접합강도는 7 layer/ 7layer에서 가장 높게 측정되었으며, 3 layer에서 가장 낮게 측정되었다. |
