| 학회 |
한국고분자학회 |
| 학술대회 |
2006년 봄 (04/06 ~ 04/07, 일산킨텍스) |
| 권호 |
31권 1호 |
| 발표분야 |
기능성 고분자 |
| 제목 |
Poly(3-alkylthiophene) (P3AT) 반도체와 골드 전극 사이의 계면에서의 에너지 준위 분석 |
| 초록 |
최근 유기반도체 재료로서 가장 많이 쓰이고 있는 전도성 고분자인 poly(3-hexylthiophene) (P3HT) 과 높은 일함수를 가진 골드 사이의 계면의 에너지 준위에 대해서 연구하였다. P3HT는 열처리 조건에 따라 기판에 수직 또는 수평인 서로 다른 분자 구조를 보이며 이는 골드와의 계면에서의 전자구조에 많은 영향을 미친다. 알킬체인이 기판에 수직 (Edge-on structure) 일 경우에 알킬체인이 기판에 수평 (Face-on structure) 일 때 보다 골드로부터의 홀 주입 장벽이 크다는 것을 알았다. 그리고 더 나아가 poly(3-alkylthiophene) (P3AT)의 곁가지 길이가 골드에서 전도성 고분자로의 홀의 주입 장벽에 미치는 영향에 대해서 연구하였다. 본 연구로부터 같은 물질이라도 서로 다른 배향구조를 가지면 전자구조가 다르게 되며 알킬체인의 길이가 길수록 홀 주입 장벽이 커진다는 것을 알 수 있다. |
| 저자 |
박영돈, 조정호, 김도환, 장윤석, 조길원
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| 소속 |
포항공과대 |
| 키워드 |
polythiophene; energy level alignment; XPS
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