| 초록 |
반도체 공정 중 박막 제조에 쓰이고 있는 플라즈마 공정에서는 submicron에서 micron 크기를 가지는 입자들이 생성되어 플라즈마 반응기를 오염시킨다[1-3]. 플라즈마 반응기 내에서 생성된 입자들은 반도체 소자의 생산성 저하 원인의 70% 이상을 차지하고 있는 것으로 알려져 있다.반도체 산업에서 입자 오염 문제에 대한 중요성 때문에 많은 연구가 수행되어져 왔으며 플라즈마반응기 내에서 입자 제거를 위해 발표된 여러 연구 논문 중에는 입자 생성을 억제하는 것, 입자성장을 억제하는 것, 반응기 설계로 입자를 제거하는 것 등이 있다. 플라즈마 반응기 내에서 효과적인 입자 제거를 위해서는 플라즈마 반응기 내에서 반응기 전달 현상 등을 고려하여 입자 특성을 체계적으로 연구할 필요성이 있다. 본 연구에서는 수치 모사를 통해 실란 PCVD 반응기 내에서 입자들의 특성과 전달 현상을 고찰하였다. 수치 모사를 위한 모델식으로써 입자 움직임에 대한 모델식을 고려하였으며 반응기내 압력과 전체 기체 유량 및 전기장의 세기 등의 공정 변수를 변화시켜가며 입자 특성과 전달현상 등을 고찰하였다.
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