| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2009년 봄 (04/23 ~ 04/24, 광주 김대중컨벤션센터) |
| 권호 | 15권 1호, p.828 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Characteristics of deep Si etching using the advanced Bosch process in PFC- and UFC- containing plasmas |
| 초록 | 고종횡비(high aspect ratio) 패턴구조를 지닌 Si 기반의 MEMS 소자제조를 위해서는 deep Si 식각기술이 핵심적 역할을 하고 있고 이를 위한 방법으로는 바닥면 식각과 벽면 보호막의 증착이 순차적으로 반복되는 Bosch process 가주로 사용된다. 기존의 Bosch process에서는 벽면에 주름이 생기는 단점이 있는데 이를 개선하기 위해서 벽면 보호막 증착과 바닥면 식각단계 사이에 O2 플라즈마를 이용하여 바닥면의 polymer를 제거함으로써 보다 매끄러운 sidewall를 얻게 해주는 advanced Bosch process 가 등장하였다. 증착에 사용되는 가스는 주로 C4F8인데 이는 과불화탄소(PFC) 물질로서 대기중 수명이 길고 지구온난화지수가 높은 온실가스로 환경적으로 유해한 물질이다. 이에 본 연구에서는 C4F8의 대체물질로서 불포화불화탄소(UFC)인C4F6을 증착단계에 사용하여 유도결합플라즈마(ICP) 식각장치에서 advanced Bosch process 기법으로 deep Si 식각을 수행하였다. 식각과 증착단계에서의 공정변수(source power, bias voltage, 압력)에 따른 식각형상의 변화와 O2 plasma 첨가에 따른 식각속도의 영향을 살펴보았다. |
| 저자 | 지정민, 조성운, 김창구 |
| 소속 | 아주대 |
| 키워드 | advanced; Bosch; ICP; Plasma; UFC; |
| 원문파일 | 초록 보기 |
