| 초록 |
반도체 가공 및 생산 화학공정에서는 폭발성 가스인 H2, NH3, GeH4 및 DCS (Dichlorosilane)가 발생된다. 이들 가스는 폭발성이며 자연발화 및 강한 독성을 지니고 있어 화학공정에서 발생되는 가스를 처리해야 한다. 현재 가스를 처리하는 과정에서 폭발의 위험이 있어 안전하게 처리해야 할 필요가 있다, 폭발성 및 DCS가스를 제거하기 위해 간접산화방식(전기히터를 사용하여 연소), 직접산화방식(메탄계 연료를 사용하여 연소), 그리고 수처리 방법, 에너지 회수형 소각처리기술 등이 널리 사용되고 있다. 본 연구에서는 기존 화학공정에서 사용되는 기술의 가스처리효율 및 에너지 소비 문제를 해결할 수 있는 에너지 회수형 건식 소각 방식을 이용한 장비로 Arc Plasma + Ceramic Chamber + 열 에너지 회수 장치를 접목시켜 H2, NH3, GeH4 및 DCS(H2SiCl2)를 저감하기 위한 시스템 개발을 수행하였다. 따라서, 플라즈마를 이용한 건식소각방식 (에너지 회수형 소각처리기술)을 적용하여 고효율의 가스 처리기술 및 공정개선을 통해 저 에너지를 사용하였다. 공정개선을 통해 기존의 NH3가스 처리효율은 89%, 개선 후 98%로 약 10% 처리효율이 향상되었다. |
