| 학회 | 한국고분자학회 |
| 학술대회 | 2007년 가을 (10/11 ~ 10/12, 일산킨텍스) |
| 권호 | 32권 2호 |
| 발표분야 | 고분자 가공/복합재료 |
| 제목 | 전도성고분자/Silicon 복합체 제조 |
| 초록 | 전도성고분자에 Silicon을 분산시켜 복합체를 제조하였다. NaH와 t-BuONa를 사용하여 silicon 전구체를 환원한 후 전도성고분자 중에서 열적 안정성과 가공성이 우수한 EDOT monomer를 첨가하여 잘 혼합되도록 일정시간 교반하였다. 그 후 개시제 및 도판트를 차례로 적하하여 Polymerization하였고 이때 실리콘 전구체와 EDOT monomer의 비율을 다르게하여 Silicon 함량이 각기 다른 전도성고분자/Silicon 복합체를 제조하였다. 제조된 전도성고분자/Silicon 복합체의 전기전도도는 4단자법을 이용하여 측정하였고 열분석기(TA), X선 회절 분석기(XRD)와 주사전자현미경(SEM), 투과전자현미경(TEM)을 이용하여 열적안정성, 모폴로지 및 silicon의 분산상태를 조사하였다. |
| 저자 | 정홍련, 고현옥, 주동혁, 이완진 |
| 소속 | 전남대 |
| 키워드 | 나노복합체; silicon; PEDOT |
