| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2007년 봄 (05/10 ~ 05/11, 무주리조트) |
| 권호 | 13권 1호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | a-, c-, r-plane Al2O3 기판에 MOCVD법으로 합성한 ZnO 나노구조의 결정학적 특성(Crystalline characteristics of ZnO nano-structures grown on a-, c- and r-plane Al2O3 by MOCVD) |
| 초록 | 반도체 나노구조는 박막에 비교하여 우수한 결정성을 갖고, 부피대비 표면적이 넓으며, 양자제한효과(quantum confinement effect)를 이용할 수 있기 때문에 전자재료와 광전자재료로 응용하기 위한 많은 연구가 이뤄지고 있다. 산화물 반도체의 대표적 물질인 ZnO는 3.37eV의 넓은 bandgap 에너지와 60meV의 큰 exciton 결합 에너지를 갖고 있기 때문에 UV 영역의 광전기적 소자, 투명전극, 바이오 센서 등 다양한 소자로 응용되고 있다. Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) 법으로 합성된 ZnO 나노구조는 기판에 대해 epitaxy 로 성장하기 때문에 기판의 결정학적 특성에 영향을 받는다. 하지만 현재까지 대부분의 ZnO 나노구조의 합성에 대한 연구에는 c-plane Al2O3 기판이 이용되고 있다. 본 실험에서는 합성된 ZnO 나노구조의 결정학적 특성에 대한 기판의 영향을 분석하기 위해 MOCVD를 이용하여 a-, c- 그리고 r-plane sapphire 기판 위에 나노구조를 합성하였다. Scanning electron microscopy를 이용하여 합성된 나노구조의 형상을 관찰하였고, X-ray diffraction 과 high resolution transmission electron microscopy를 통해서 나노구조의 기판에 따른 결정학적 특성과 미세 결정구조를 확인하였다. 결정구조가 다른 Al2O3 기판에 합성된 ZnO 나노구조에 대한 결정학적 특성 연구는 ZnO 나노구조 소자개발에 응용될 것으로 기대된다. |
| 저자 | 서지민, 정민창, 명재민 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | ZnO; nanostructure; crystalline structure |
