| 학회 |
한국공업화학회 |
| 학술대회 |
2011년 가을 (11/02 ~ 11/04, 경원대학교) |
| 권호 |
15권 2호 |
| 발표분야 |
정보.전자소재 |
| 제목 |
Ti doped ZnO 투명전도막의 특성 |
| 초록 |
디스플레이 구성에 있어서 투명전도막은 필수적인 요소로 연구가 활발히 진행 중이다. 디스플레이 소자에 사용되는 투명전도막은 정보를 표시하기 위하여 빛을 소자 외부로 방출시키거나 태양광 등을 소자 내부로 입사시켜야 한다. 따라서 투명전도막은 높은 광투과율과 낮은 전기비저항을 가져야 한다. 현재 투명전극은 ITO가 널리 사용되고 있지만 인듐의 매장량이 한정되어 있고, 제작단가가 비싸기 때문에 대안으로 ZnO 산화물 반도체를 이용한 투명전도막 개발이 진행되고 있다. ZnO 투명전도막은 ITO보다 비저항이 높기 때문에 III족이나 IV족의 금속원소 도핑을 이용하여 비저항을 낮추는 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 금속 원소 중에서 Ti를 도핑하여 제작된 Ti doped ZnO 투명전도막의 특성을 고찰하였다. |
| 저자 |
이덕규1, 구연진1, 박형상1, 황운연2, 김선영2, 김재훈2, 김정헌2
|
| 소속 |
1서강대, 2엠제이씨엔엠 |
| 키워드 |
Ti doped ZnO; 졸-겔법; TCO; 투명전도막
|
| E-Mail |
|
