| 학회 |
한국고분자학회 |
| 학술대회 |
2007년 봄 (04/12 ~ 04/13, 제주 ICC) |
| 권호 |
32권 1호 |
| 발표분야 |
전자/에너지 재료와 고분자 산업(산학협동위원회) |
| 제목 |
Surface modification of gate dielectric with a poly-dimethylsiloxane thin layer on poly(3,3'''-dialkylquarterthiophene) based organic thin film transistors |
| 초록 |
유기박막트랜지스터의 성능향상을 위해 유기반도체와 게이트 절연층 사이의 계면을 개질시키는 연구가 많이 진행되고 있다. OTS (octyltrichlorosilzne), ODTS (octadecyltrichlorosilane) 등을 사용한 표면 처리는 표면 에너지, 표면 조도, 분자 배열 등에 영향을 주어 소자의 성능을 향상시킬 수 있다. 하지만 이러한 물질을 이용한 표면 처리는 각 물질의 용액상태에서 기판을 dipping한 후 화학적 방법으로 게이트 절연층 표면에 이들을 도입시키는 방법을 사용하므로 반응용기의 상태, 주변 환경의 수분 함량 등에 많은 영향을 받아 재현성이 떨어지는 단점을 가지고 있다. 이에 본 연구에서는 반도체와 게이트 절연층 사이의 계면에 표면에너지가 아주 낮은 고분자인 PDMS(poly-dimethylsiloxane)를 스핀코팅을 이용해 얇은 층을 형성시켜 표면을 개질하여 보았다. 또한 반도체 물질로는 용액 공정이 가능한 고분자인 PQT(poly(3,3'''-dialkylquarterthiophene))를 사용하였다. 실험결과 PDMS의 얇은 층을 도입시킬 경우 OTS, ODTS를 이용했을 때 보다 더 간단한 방법으로 표면 처리를 할 있었을 뿐 아니라 소자 특성에 있어서도 거의 동등한 결과를 얻을 수 있었다. |
| 저자 |
박준우, 양상윤, 김세현, 박찬언
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| 소속 |
포항공과대 |
| 키워드 |
OTFT; surface treatment; OTS; ODTS; PQT
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| E-Mail |
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