| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2007년 가을 (11/02 ~ 11/02, 성균관대학교) |
| 권호 | 13권 2호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | Polyethylene oxide(PEO) 유기게이트의 절연특성 연구 |
| 초록 | 현재까지 능동구동소자로 수소화된 비정질 실리콘 트랜지스터나 다결정 실리콘 트랜지스터가 많이 사용되고 있으며 Si를 기본으로 하는 무기 반도체가 대부분이었다. 일반적으로 OTFT(Organic Thin Film Transistor)는 TFT에 비해 이동도가 떨어진다는 단점에도 불구하고 저온공정이 가능하고, 획기적인 방법으로 박막을 제조할 수 있으며 초박막에서도 트랜지스터로의 기능을 유지 할 수 있고, 보통의 TFT와는 달리 유연성이 있으면서 TFT와 같이 벌크 성질을 이용할 수 있다는 장점들이 발견되면서 유기반도체의 개발의 필요성이 커지고 있는 추세이다. 그러나 지금까지는 SiO2와 같은 무기 절연층에 대한 연구는 많이 보고되는 한편 유기 절연층에 대한 연구는 미흡한 실정이다. OTFT는 절연층으로 어떤 절연물질을 사용하느냐에 따라 각각 다른 전기적 특성을 보인다. 본 연구에서는 MIM(Metal/Insulator/Metal)구조로 200nm의 두께로 코팅한 Polyethylene oxide(PEO)를 one layer 절연층으로 사용한 한 가지 샘플과 기판 위에 SiO2을 100nm 증착한 후 PEO를 200nm의 두께로 코팅한 double layer로 사용한 샘플을 제작한 뒤 각각에 대한 Leakage current level, breakdown voltage, Dielectric constant, Surface roughness를 비교한다. |
| 저자 | 김혜연, 이철우, 정일섭 |
| 소속 | 성균관대 |
| 키워드 | Polyethylene oxide(PEO); organic insulator; capacitor |
