| 초록 |
본 연구에서는 유기 EL 소자를 active matrix 방법으로 제조하기에 적합한 수직형 트랜지스터를 제작 전류-전압 특성을 연구하였고, 수직형 트랜지스터에 유기발광층을 적층한 일체형 트랜지스터의 전류-전압 특성을 연구하였다. 기존의 MOSFET 형태의 수평형 트랜지스터에 비해 낮은 구동 전압과 높은 효율을 보이는 수직형 트랜지스터를 유기 EL 소자의 구동소자로의 응용가능성을 검토하였다. ITO 투명전극 위에 n-type 유기물, Al 게이트 전극, n-type 유기물, Al 전극을 10-5 Torr 이하에서 박막으로 진공 증착하였다. 유기물층 사이에 절연막이 없는 게이트전극 층을 형성시키면 기존의 수평형 트랜지스터에 비해 향상된 전류-전압 특성을 보이게 된다. n-형 유기물과 게이트전극과의 접촉면적을 확대하기 위하여 게이트전극은 100 μm간격의 grid형태로 구성하였다. 유기물층의 두께와 게이트전극의 구조에 따른 최적의 조건을 확립하였다. n-형 유기물은 분자의 공기중의 안정성, 주캐리어의 이동도에 따라 큰 차이를 보인다. 수직형 유기트랜지스터 및 일체형 유기트랜지스터의 전류-전압특성 및 발광 특성은 source meter를 이용하여 측정하였고 이를 통하여 수직형 유기트랜지스터의 유기 EL 소자용 트랜지스터로의 응용가능성을 검토하였다. |
