| 학회 |
한국화학공학회 |
| 학술대회 |
1997년 봄 (04/25 ~ 04/26, 동국대학교) |
| 권호 |
3권 1호, p.1229 |
| 발표분야 |
재료 |
| 제목 |
비휘발성 반도체 메모리 응용을 위한 유도결합 플라즈마에서 Pt/PZT/Pt 박막 커패시터의 건식 식각 |
| 초록 |
비휘발성 반도체 메모리는 강유전체 박막 커패시터를 필요로 한다. 여러 가지 강유전체 물질과 전극 물질중에서, 강유전체 물질로서 Lead Zirconate Titanate (PZT)와 전극 물질로서 백금(platinum)을 사용한 Pt/PZT/Pt 구조의 커패시터가 강유전체 메모리(FRAM)에의 응용을 위하여 가장 주목을 받고 있다. Pt/PZT/Pt 박막 커패시터의 제조를 위해서는 식각(etching) 공정의 개발이 필수적이다. 여러 가지 식각 방법중에서 반응성 이온 식각법이 가장 많이 사용된다. 그러나 보통의 반응성 식각법으로는 식각 속도가 느리고 PZT와 Pt 박막들에 대한 선택도가 작기 때문에 어려움이 많다. 따라서 본 연구에서는 고밀도의 플라즈마를 생성하는 유도 결합 플라즈마 식각 장비를 이용하여 PZT와 Pt 박막들의 식각 특성 (식각 속도, 마스크에 대한 선택도, 식각 profile)과 식각 가스와 식각 조건을 포함하는 식각 공정을 개발하고자 한다.
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| 저자 |
정지원1, 김창정2
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| 소속 |
1삼성종합기술원, 2Materials Sector |
| 키워드 |
PZT; Pt; reactive ion etching; Inductively coupled plasma; Ferroelectric random access memory
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| E-Mail |
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| 원문파일 |
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