| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2009년 봄 (05/21 ~ 05/22, 무주리조트) |
| 권호 | 15권 1호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | ALD법으로 성장시킨 ZnO 박막의 RTA 처리에 따른 전기적 특성변화 |
| 초록 | ZnO 는 상온에서 약 3.3 eV 정도의 넓은 띠간격 (band gap) 에너지를 갖는 n형 반도체로 Zn 원자와 O 원자 간의 비화학양론적 (nonstoichiometric) 결합으로 인해 전기 전도성을 나타내며 가시광 영역에서 80 % 이상의 광 투과도를 가지고 있다. ZnO 의 우수한 전기적, 광학적 특성은 포토다이오드 (photo diode), 태양전지 (solar cell), 디스플레이 소자의 전극, 표면 탄성 과 소자 및 가스센서 (gas sensor) 등 산업에 광범위하게 응용되고 있다. 본 연구에서는 ALD(Atomic Layer Deposition)법을 이용하여 ZnO 박막을 온도별로 증착하여, 증착된 ZnO 박막을 RTA(Rapid Thermal Annealing)에서 후열처리 한 후 전기적 특성의 변화를 관찰하였다. ZnO 박막은 Hall측정을 통하여 전기적 특성의 변화를 관찰하였으며, XRD(X-Ray Diffractrometry) 측정을 통해 결정구조 및 방향성을 확인 하였다. |
| 저자 | 장삼석, 김범준, 박지훈, 김영석, 변동진 |
| 소속 | 고려대 |
| 키워드 | ZnO; RTA; ALD |
