| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2015년 봄 (05/14 ~ 05/15, 구미코) |
| 권호 | 21권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 |
| 제목 | Fabrication of few-layer MoS2 by sputtering |
| 초록 | Fabrication of few-layer MoS2 by sputtering 오태경, 민형섭, 전형탁1, 이전국† 한국과학기술연구원 광전소자연구단; 1한양대학교 신소재공학과 ([email protected]†) 차세대 flexible device를 위하여 기존의 a-Si 보다 더 높은 전기적, 기계적 물성을 지닌 재료의 필요성이 대두되고 있다. 가장 먼저 연구 되어진 그래핀의 경우 2차원 구조로 된 재료로서 우수한 전기적 특성을 지니지만 bandgap을 갖지 않아서 전자소자로서 한계가 있다. 하지만 MoS2는 층수에 따라 다층에서 1.2eV, 단층에서 1.8eV 의 Bandgap을 지닌다. 또한 좋은 전자 이동도 와 높은 on/off ratio, 적은 subthreshold swing을 지니고 있어 차세대 저전력 flexible device로 활발히 연구 되고 있다. 본 연구에서는 Sputtering을 이용하여 substrate의 온도 및 후열처리를 달리하여 시편 위에 few-layer MoS2를 증착 하였다. 이에 따른 MoS2 성장 및 결정성에 대해 연구하였다. 만들어진 시편은 Raman Spectroscopy, Atomic Force Microscopy (AFM), Optical Microscopy, Scanning Electron Microscope (SEM), Transmission Electron Microscope(TEM)을 이용하여 표면분석 및 MoS2 Layer에 대한 분석을 진행하였다. Keywords: MoS2, 2-D material, Thin film |
| 저자 | 오태경1, 민형섭1, 전형탁2, 이전국1 |
| 소속 | 1한국과학기술(연), 2한양대 |
| 키워드 | MoS<SUB>2</SUB>; 2-D material; sputtering; Thin film |
