| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2008년 가을 (11/07 ~ 11/07, 차세대융합기술연구원) |
| 권호 | 14권 2호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | Time Resolved Electroluminescence of Blue and Green LEDs |
| 초록 | 차세대 조명용 후보 광원으로 평가받는 LED는 에너지 고갈 및 환경오명의 위기를 대응하는 전략적 기반 기술 산업이며, LED는 에너지 변환 효율이 높아 전기에너지 절감에 유리하여 조명을 필요로 하는 가전기기, 자동차, 건축, 의료기기 등 산업전반에 걸쳐 응용되는 산업이다. 잠재시장인 가정용 및 사무실 조명까지 감안하면 LED는 메모리 반도체를 능가하는 거대한 부품소재 시장을 형성할 것으로 기대되는 유망 산업이다. LED 산업은 휴대가전기기, 자동차/수송기기, 디스플레이, 의료기기, 건축, 환경 등 조명을 필요로 하는 거의 모든 산업의 후방산업이며, 반도체 공정에 필요한 기판, 화학약품, 패키지 재료 등 구성요소의 생산을 위한 원부자재를 후방산업으로 가지고 있다. 이를 위해서는 기반이 되는 LED 칩 기술이 필수적이며, 특히 질화갈륨(GaN)계 LED에서 UV, Blue, Green LED는 BLU, full color display 및 차세대 조명 산업에서 새로운 고부가가치 산업을 창출할 수 있는 제품이 되고 있다. 그러나, 이러한 질화물(GaN)계 LED에서 기본적인 질화갈륨(GaN)층의 에피 품질은 현재까지도 만족스럽지 못해 지속적으로 연구 개발을 하고 있는 실정이다. 이를 위한 해결 방안으로 질화갈륨(GaN)계 동종 기판을 이용한 저결함 에피층을 이용하여 고품위, 고신뢰성의 소자 개발을 하는 연구가 많은 관심을 가지고 있다. 본 연구에서는 사파이어 기판을 이용한 기존의 질화물(GaN)계 LED와 GaN 기판을 이용한 LED의 광학적 출력 비교를 TRPL(Time Resolved Photoluminescence) 및 TREL(Time Resolved Electroluminescence)을 통해 기존의 사파이어 기판을 사용함에 따른 결함 정도가 GaN 기판을 사용함으로써 내부양자효율 개선에 어느 정도 영향을 주는 지 알아보기로 한다. |
| 저자 | 진정근1, 백종협1, 최영준2, 이혜용2 |
| 소속 | 1한국광기술원, 2(주)루미지엔테크 |
| 키워드 | LED; GaN; TRPL; TREL |
