| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2021년 봄 (05/12 ~ 05/14, 부산 벡스코(BEXCO)) |
| 권호 | 25권 1호 |
| 발표분야 | 포스터-나노 |
| 제목 | Bias Instability Analysis of multi-layer ReS2 FET with α-MoO3 Passivation |
| 초록 | 2차원 물질은 실리콘을 대체할 차세대 재료로써 각광받고 있지만, 공통적으로 나타나는 2D 기반 FET의 단점은 공기 중에서 매우 취약하다는 점이다. 따라서 HfO2, TiO2, Al2O3, h-BN 등과 같은 안정적인 dielectric으로 passivation하여 소자의 안정성을 향상시키는 연구가 많이 이루어지고 있다. α-MoO3(Molybdenum Trioxide)는 각 층으로 이루어진 전이금속산화물의 한 종류로 high-K, wide bandgap, 자연환경에서 안정적인 특성으로 인해 최근 들어 많은 관심을 받고 있다. 본 연구에서는 위와 같은 α-MoO3의 이점을 전도 채널인 multilayered ReS2 FET에 적용하여, ReS2의 일부만 α-MoO3 passivation을 수행하고, 이를 공기 중에 노출된 ReS2 영역과 전기적 특성 변화를 비교 분석하였다. α-MoO3의 효과를 확인하기 위해 gate voltage stress를 인가하며 누적시간에 따른 열화량 비교분석을 통해 α-MoO3로 Passivation 되었을 때의 threshold voltage, field effect mobility, subthreshold swing, on/off ratio 등의 전기적 특성을 확인하였다. |
| 저자 | 전준구, 이재우, 김규태 |
| 소속 | 고려대 |
| 키워드 | Bias Instability; Molybdenum Trioxide; Rhenium Disulfide |
