| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2017년 봄 (04/26 ~ 04/28, ICC 제주) |
| 권호 | 23권 1호, p.945 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Dependence of SiO2 etch rates on the ion-incident angle at various bias voltages in a C4F8 plasma |
| 초록 | 반도체 제조공정에서 SiO2의 contact hole과 via hole 식각은 중요한 공정 중 하나이다. SiO2 식각에서 고종횡비 (high aspect ratio)를 유지하며 식각형상 (etch profile)을 정교하게 조절하는 것이 중요하다. SiO2 식각속도는 기판의 표면과 입사하는 이온 사이의 각도에 영향을 받으므로 식각속도의 각도의존성을 파악하는 것이 필수적이다. 그러나 SiO2 표면 위에 형성되는 쉬스로 인하여 이온은 항상 기판 표면에 수직으로 입사한다. 따라서 일반적인 방법으로는 입사하는 이온의 각도를 조절하기 어렵다. 본 연구에서는 C4F8 플라즈마에서 입사 이온의 각도에 따른 SiO2 식각속도의 각도의존성을 알아보았다. Faraday cage를 사용하여 기판 표면에 입사하는 이온의 각도를 조절하였다. 또한 bias voltage 변화가 SiO2 식각속도에 미치는 영향을 알아보기 위하여 bias voltage를 –400 V부터 –1200 V까지 다양하게 변화시켰다. SiO2 식각속도의 각도의존성은 SiO2 표면에 형성된 steady-state 불화탄소 박막의 두께와 F/C ratio에 영향을 받았다. |
| 저자 | 박창진, 김창구 |
| 소속 | 아주대 |
| 키워드 | 화공소재 전반 |
| 원문파일 | 초록 보기 |
