| 초록 |
ZnO를 기반으로 하는 박막을 높은 화학적 안정성과 광투과물, 낮은 비저항과 제조시 열적 특성이 안정하여 디스플레이, 발광 소자, 태양 전지의 투명 전도막으로 개발 가능함으로 관심이 많다. 특히, 주석(Sn)을 도핑하면 전기 전도도와 광학적 특성이 개선되는 경향을 나타내기 때문에, 본 연구에서는 라디오파 마그네스톤 방법을 사용하여 InSnZn (ITZO) 박막을 성장시킨 후에 다양한 급속 열처리 온도를 증착 변수로 선택하여 증착된 박막의 구조, 전기, 밴드갭에너지, 투과 특성을 조사하였다. 후열처리를 통하여 ITZO 박막내의 결함과 내부 응력을 제거하고, 도핑된 불순물을 확산시키고 박막의 재결정을 발생시켜 ITZO 박막의 광학 및 전기적 특성을 향상시켰다. 박막의 광학적 특성은 UV-VIS 분광 광도계를 사용하여 측정하였으며, 박막의 투과율은 열처리 온도 600 ℃에서 수행한 박막에서 가장 높았고, 평균 87% 이상의 투과도를 보였다. 급속 열처리 온도 변화에 따른 광학 밴드갭 에너지, 전기전도도, 결정 입자의 크기가 조사되었다. |
