| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2013년 봄 (05/23 ~ 05/24, 여수 엠블호텔(THE MVL)) |
| 권호 | 19권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 | 이온 주입된 photoresist stripping 공정에서 발생된 잔존물의 구조적 분석 |
| 초록 | 최근 LCD 공정의 효율 향상을 위하여 mask수 저감 등 많은 공정평가 및 적용을 시도하고 있다. 이러한 공정단순화를 위하여 전통적인 photoresist (PR)제거 공정인 wet strip공정을 dry etch 장비를 이용한 ashing (dry strip) 공정으로 대체하고 있는 추세이다. PR strip공정 진행 전 amorphous silicon etch를 위하여 dry etch공정을 진행할 때 공정 진행 중 발생하는 Ion이 PR에 Implantation 되어 PR이 변형되는 PR이 남는 문제가 있다. 본 논문에서는 dry etch 공정에서 비 정질 실리콘을 식각하는 도중 발생하는 PR의 표면변화에 영향을 주는 인자 중, 사용 gas의 종류와 etch time에 따른 PR 특성을 FT-IR과 Gel Permeation Chromatography (GPC)을 이용하여 분석하였다. 그 결과, dry etch 공정에서 사용하는 염소계 gas는 PR 내 H결합을 깨고 염소가 수소와 반응하여 PR에 carbonized layer로 변성을 일으켜 strip에 방해를 준다는 것을 알 수 있었다. 또한 변성된 carbonized layer 억제 및 제게를 위해 RF power, 사용 gas의 종류와 etch time의 최적 공정 변수를 도출하였다. |
| 저자 | 노진규1, 조성훈2, 원수현2, 최병호2 |
| 소속 | 1LG 디스플레이, 2금오공과대 |
| 키워드 | photoresist(PR); strip; Gel Permeation Chromatography(GPC) |
