| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2012년 가을 (11/07 ~ 11/09, 라카이샌드파인 리조트) |
| 권호 | 18권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 | 화학 증착법에 의한 ZnSe 박막의 성장과 광학적 특성 |
| 초록 | Znic selenide는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체로서 보통 Znicblend의 구조를 가지며 에너지 띠 간격 Eg가 상온에서 2.69eV이고 직접 에너지 띠 간격을 갖는 민감한 광전도체 이어서 광전도 현상에 관하여 연구되어 왔으며 반도체 소자로서 지난 수 년간에 걸쳐 연구가 활발하게 진행되어 왔다. 다결정 ZnSe 박막은 진공증착, 전자살증착, hot wall 에피텍시, 스프레이법등에 의한 증착과 인쇄/소결, 용액증착법등으로 제조될 수 있다. 이 방법 가운데 용액증착법인 chemical bath deposition(CBD) 방법은 제조공정이 간단하고 넓은 면적으로 제작하기 용이하고 화학당량적 조성을 만족하며 재현성을 높이는 잇점이 있다. CBD 방법으로 ZnSe 광전도 셀을 제작하여 SEM 사진 및 X-선 회절기로 낱알크기 및 결정구조를 확인하고, Van der Pauw 방법으로 Hall 효과를 측정하여 운반자 농도, 이동도 및 비저항을 측정하였다. 또한 광전도 셀로서의 응용성을 알아보고자 스펙트럼 응답을 측정하고, 10 lx와 100 lx 사이의 감도(sensitivity:γ), 최대허용소비전력(maximum allowable power dissipation:MAPD), 광전류(photocurrent:pc)와 암전류(darkcurrent:dc)의 비pc/dc값, 응답시간을 측정하였다. |
| 저자 | 홍광준 |
| 소속 | 조선대 |
| 키워드 | Znic selenide; 화학 증착법; 광전도 셀; 감도 |
