| 초록 |
현재 가장 널리 사용되고 있는 투명전도막 재료는 ITO로 광학적 성질과 전기적 성질이 우수하지만 원료 물질인 In 수급량 부족에 의한 재료비 상승, In의 독성, 저온 증착의 어려움 등의 단점을 안고 있다. 이에 최근 들어 Al, In 또는 Ga 등을 첨가한 ZnO 박막이 ITO박막을 대체하기 위한 연구가 진행되고 있다. 현재까지 sputtering 법을 비롯해 ALD, PLD 등이 이용되고 있으나, 대면적 기판에 균일한 증착이 용이하고 증착속도가 비교적 빠르며 특히 단차 피복 특성이 우수한 박막을 제조할 수 잇는 화학증착법(CVD)으로 ZnO 박막을 제작한 연구보고는 매우 드문 상황이다. 이는 CVD의 출발 원료로 사용하기에 적적한 Zn화합물이 드물기 때문이라고 생각 된다. 본 실험에서는 초음파 분문 MOCVD를 이용해 In-doped ZnO를 soda lime glass에 증착하여, 전기적 광학적 특성을 조사하였다. 실험은 비교적 낮은 온도인 225~300 °C 의 범위의 상압에서 이루어 졌으며, In의 첨가량이 증가함에 따라 박막의 (002)면 배향성과 결정화도가 증가하였다. 비저항 값은 In의 첨가량이 증가함에 따라 감소하다가 4mol%부터 증가하였다. 가장 낮은 비저항 값은 3.2 X 10-3Ω•cm , 투과도는 In의 변화량에 관계 없이 가시광 영역에서 85%이상 나타났다. |
