| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2010년 봄 (05/13 ~ 05/14, 삼척 팰리스 호텔) |
| 권호 |
16권 1호 |
| 발표분야 |
C. Energy and the Environment(에너지 및 환경재료) |
| 제목 |
후면 표면구조 차이에 따라 형성되는 Back Surface Field 특성평가 |
| 초록 |
결정질 실리콘 태양전지의 제조비용 중 원재료 및 웨이퍼가 차지하는 비율이 50% 이상으로 큰 비중을 차지하고 있다. 제조비용절감을 위해 초박형 실리콘 태양전지 개발이 활발히 이루어지고 있다. 초박형 실리콘 태양전지에 대한 관심이 높아짐에 따라 후면 전극 형성에 따른 Back Surface Field(BSF)의 특성이 재평가 되고 있다. 이에 본 연구에서는 후면의 표면구조에 따라 형성되는 BSF의 특성을 평가하고자 하였다. 절삭 손상(Saw damage)이 제거된 실리콘 기판과 절삭 손상 제거 후 이방성 습식 식각을 이용한 표면 Texturing된 실리콘 기판에 후면 전극을 스크린 인쇄 후 소성 공정을 통해 BSF를 형성하였다. 표면구조에 따라 형성되는 BSF의 형상과 특성을 평가하기 위해 염산과 과산화수소를 이용하여 후면 전극층을 제거하였다. 후면전극 제거 후 주사전자현미경(Scanning Electron Microscopy)과 공초점 레이저 3차원 현미경(Confocal Laser 3D Scanning Microscope)으로 BSF의 형상을 비교하였다. 또한 BSF의 특성을 평가하고자 Quasi-Steady-State Photo Conductance를 사용하여 minority carrier의 lifetime과 Open circuit voltage를 측정하였고 분광광도계 (UV-Vis Spectrophotometer)를 이용하여 반사도를 측정하였다. |
| 저자 |
김현호1, 박성은1, 송주용1, 탁성주1, 강민구1, 김성탁1, 권순우2, 윤세왕2, 김동환1
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| 소속 |
1고려대, 2대한제당 중앙(연) |
| 키워드 |
Back Surface Field; 후면전극형성; 실리콘 태양전지
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