| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2022년 봄 (04/20 ~ 04/23, 제주국제컨벤션센터) |
| 권호 | 28권 1호, p.869 |
| 발표분야 | [주제 4] 탄소중립(CCUS) |
| 제목 | SiO2 contact hole etching using heptafluoropropyl methyl ether/pentafluoropropanol/O2/Ar plasmas |
| 초록 | Perfluorocompound (PFC)는 global warming potential (GWP)이 높아 적은 양으로도 지구온난화에 악영향을 미치기 때문에 전세계적으로 PFC 가스 배출량을 줄이기 위해 노력하고 있다. 세계반도체협의회 발표에 따르면 2020년 전세계 반도체 공정에서 발생한 PFC 가스의 배출량은 2012년 배출량 대비 37.9% 증가했다고 한다. 따라서 PFC 가스 배출량을 줄이기 위해 fluoro-ether와 fluoro-alcohol처럼 GWP가 낮은 물질을 이용한 반도체 공정 개발이 필요하다. 본 연구에서는 fluoro-ether인 heptafluoropropyl methyl ether와 fluoro-alcohol인 pentafluoropropanol을 이용하여 SiO2 contact hole을 식각한 뒤 etch profile을 비교했다. Plasma chemistry와 식각 시간에 따른 profile을 비교하여 고종횡비 contact hole 식각 메커니즘을 설명했다. |
| 저자 | 유상현, 김창구 |
| 소속 | 아주대 |
| 키워드 | 재료(Materials) |
| 원문파일 | 초록 보기 |
