| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2012년 봄 (05/17 ~ 05/18, 무주덕유산리조트) |
| 권호 |
18권 1호 |
| 발표분야 |
F. 광기능/디스플레이 재료(Optical Functional and Display Materials) |
| 제목 |
MgN/GaN buffer layers를 이용한 GaN LED의 전기적 및 광학적 특성 향상 |
| 초록 |
Sapphire와 GaN 박막이 가지는 격자 부정합 및 열팽창계수의 차이로 인하여 GaN 박막은 많은 defect를 가지면서 성장하게 된다. 본 연구에서는 이를 개선하기 위하여 기존의 LT-GaN buffer 층을 대신하여 MgN/GaN 다층 박막을 이용하여 GaN의 LED 구조를 성장하였으며, 그 결과를 XRD, TEM, AFM 및 chip 검증을 통하여 평가하였다. TEM 및 AFM 측정 결과, 기존의 LT-GaN buffer 대비 MgN/GaN 다층 buffer를 이용할 경우 defect density가 현저히 줄어들며 성장 방향에 대한 dislocation 역시 감소함을 확인하였다 |
| 저자 |
이치경, 김혁종, 김효재, 김진식, 원수현, 조성훈, 최병호
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| 소속 |
금오공과대 |
| 키워드 |
Sapphire; GaN LED; buffer layers; dislocation
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