| 학회 |
한국공업화학회 |
| 학술대회 |
2016년 봄 (05/02 ~ 05/04, 여수 엑스포 컨벤션) |
| 권호 |
20권 1호 |
| 발표분야 |
나노_포스터 |
| 제목 |
CFR-Printing proces를 이용하여 증착한 Zn(O,S) Active layer에서 S/O 비율에 따른 박막트렌지스터 특성분석 |
| 초록 |
다양한 용액공정 중에서 프린팅 프로세스는 박막트랜지스터를 제조하는 대표적인 저비용 기술이다. 반도체층(Active layer)로 많이 쓰이고 있는 무기물 계열의 화합물 반도체 중에서 순수한 ZnO박막의 경우 대기 중에 장시간 노출되었을 때 산소의 영향으로 Zn과 O의 정량비가 변하면서 전기적성질이 변하는 문제가 있다. 이러한 단점을 보완하기 위해 S를 첨가하여 S/O ratio을 높여 불순물을 도핑함으로써 전하 농도 및 전기 전도도를 높여 줄 것이다. 본 연구에서는 박막 트랜지스터의 반도체층(Active layer)으로 사용되는 Zn(O,S)을 연속흐름반응기방법을 이용하여 성장속도 및 박막 두께를 제어하고 온도를 조절하여 particle size를 조절하였다. 그리고 프린팅 프로세스를 통해 박막트렌지스터의 반도체층(Active layer)을 제조하였다. 뿐만 아니라 S/O ratio 따른 금속전극의 전하 이동도를 측정하고 XPS, EDX를 통하여 박막 트랜지스터 Zn(O,S)박막의 구조적, 물리적 성질변화를 확인하였다. |
| 저자 |
하철호, 전호영, 한현규, 강태훈, 박도휘, 주명양, 류시옥
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| 소속 |
영남대 |
| 키워드 |
Printing proces; TFT; Active layer
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| E-Mail |
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