| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2013년 봄 (04/24 ~ 04/26, 광주 김대중컨벤션센터) |
| 권호 | 19권 1호, p.99 |
| 발표분야 | 공업화학 |
| 제목 | NH3가스 정제 및 이를 이용한 NH4F 합성연구 |
| 초록 | 실리카 박막에 대한 에칭은 습식 에칭이 사용되며, HF와 NH4F의 혼합물인 Buffer Oxide Etchant(BOE)를 에칭제로 많이 사용하고 있다. 이 BOE 용액에서 NH4F는 HF가 SiO2를 식각함에 따라 불소이온의 감소로 식각균일도가 떨어지는 점을 보완해줘 안정된 식각을 할 수 있게 해준다. 이러한 식각균일도는 기판에 인쇄되는 회로의 불량률을 감소시키고 제품의 신뢰성을 향상 시킨다. 이러한 이점 때문에 NH4F는 HF와 혼합하여 BOE로 많이 사용되며 BOE는 또한 LCD나 반도체 소자 제조 시 세정제로도 사용된다. 본 연구에서는 암모니아 가스와 HF수용액을 사용하여 NH4F를 합하는 공정에 있어서 반응에 적합한 반응기의 재질과 암모니아 가스에 함유된 불순물을 제거하는 방법에 대하여 고찰하였다. 또한 반응조건이 NH4F의 합성에 미치는 영향에 대하여 살펴보고 합성된 NH4F로 BOE를 만들어 에칭속도를 측정하였다. |
| 저자 | 김영덕, 이철우 |
| 소속 | 한밭대 |
| 키워드 | NH4F; 에칭 |
| 원문파일 | 초록 보기 |
