| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2008년 가을 (11/07 ~ 11/07, 차세대융합기술연구원) |
| 권호 |
14권 2호 |
| 발표분야 |
반도체재료 |
| 제목 |
RF 마그네트론 스퍼터법으로 성장한 p-i-n LED 구조의 특성평가 |
| 초록 |
ZnO는 3.37eV의 넓은 에너지 밴드갭을 가지고 있으며, 60meV의 큰 엑시톤(exciton) 결합에너지의 특성을 가지고 있어, 최근 ZnO 박막을 이용한 LED 및 LD 소자 제작에 대한 연구가 국내외적으로 매우 활발하게 이루어지고 있다. 하지만 ZnO는 산소공공과 같은 결함으로 자발적으로 n-type 특성을 나타내기 때문에 p-type ZnO 합성이 어렵다. 이런 문제점을 해결하기 위해 ZnO와 결정학적 특성이 거의 유사하면서 p-type 형성이 쉬운 GaN를 이용하여 LED 소자를 제작하였다. 또한 p-i-n 구조를 이용할 경우 중간층에 삽입된 intrinsic 층에서만 전자 정공 재결합이 일어나기 때문에 발광효율을 향상시킬 수 있다. 본 연구에서는 intrinsic 층위에 n-type ZnO의 캐리어 농도 및 밴드갭 변화를 이용하여 발광특성 변화에 대해 연구하였다. |
| 저자 |
공보현1, 김영이1, 한원석1, 김동찬1, 안철현1, 조형균1, 이종훈2, 김홍승2
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| 소속 |
1성균관대, 2한국해양대 |
| 키워드 |
ZnO; LED; sputtering; optical property
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