| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2008년 봄 (05/22 ~ 05/23, 상록리조트) |
| 권호 | 14권 1호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | 고온 산화에 의한 NiO 박막의 구조적 특성 |
| 초록 | NiO는 암염구조를 갖는 3d 전이금속 산화물로서, 523K 이하에서 반강자성의 자기적 특성을 나타낸다. 완전한 결정구조를 갖는 NiO는 전기적 부도체이지만, 양이온 결함이 존재할 때에는 금속 결핍의 비화학양론적(Ni1-δO) p-형 반도체 산화물이다. 특히 NiO 박막은 광학적 특성 및 화학적 안정성이 우수하기 때문에 레이저나 센서, p-형 투명전극재료 등의 응용에 관심이 집중되고 있다. NiO 박막의 증착 방법으로는 스퍼터링법, 유기금속 화학기상 증착법(MOCVD), 전자빔 증착법, 졸-겔법 등의 다양한 방법들이 사용되고 있는데, 특히 스퍼터링법은 박막 증착온도가 낮고 표면이 균일한 막을 얻을 수 있다. 이에 본 연구에서는 Si(100) 기판 위에 Ni 박막을 dc-sputtering으로 증착한 후 고온 산화에 의한 NiO 박막의 구조적 특성을 분석하였다. 열처리 온도에 따른 표면 특성은 주사전자현미경(SEM)으로 관찰하였고, X-선 회절(XRD)을 통하여 성장된 NiO 박막의 구조적 특성을 분석하였다. |
| 저자 | 김준호1, 문진영1, 김형훈1, 이호성1, 한원석2, 조형균2, 김홍승3 |
| 소속 | 1경북대, 2성균관대, 3한국해양대 |
| 키워드 | NiO; DC-sputtering; 고온 산화 |
