| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2011년 봄 (05/26 ~ 05/27, 제주 휘닉스 아일랜드) |
| 권호 | 17권 1호 |
| 발표분야 | F. Display and optic Materials and processing(디스플레이 및 광 재료) |
| 제목 | Structure and Properties of Double Active Layer TFT for High Mobility |
| 초록 | 디스플레이 제품의 대형화로 인하여 높은 이동도를 갖는 TFT 소자에 관심과 연구가 집중되고 있다. 높은 이동도를 갖는 TFT를 위한 연구개발은 활성층의 물성을 향상시키는 방법과 새로운 구조를 통한 접근방법이 주를 이루고 있다. 본 연구에서는 우수한 광학적, 전기적 특성으로 인해 활발한 연구가 이루어지고 있는 AOS[Amorphous Oxide Semiconductor]를 활성층으로 사용한 소자 중에서 a-IGZO를 이종 활성층으로 이용한 구조의 소자를 연구하였다. 고안된 소자는 기존 Bottom gate TFT의 활성층 하부에 금속 박막층을 삽입한 형태이다. 소자의 제작은 일반적인 Photolithography 공정을 거쳤고, 활성층은 상온에서 RF Sputtering 방법으로 증착하였다. 이러한 구조를 갖는 소자는 축적 구동 방식의 TFT에서 채널이 형성되는 영역의 캐리어 농도를 증가시키고 활성층의 저항에 비하여 극히 작은 저항값을 갖게 함으로써 소자의 특성을 향상시킬 수 있다. 이와 같은 효과를 확인하기 위해 채널의 길이가 10, 20, 40, 80μm의 활성층 내 금속 박막층의 길이를 0, 20, 40, 60μm로 변화시켜 소자를 제작, 특성을 평가하였다. 소자의 특성은 전류-전압 측정을 통해 평가하였고 문턱전압, 포화 이동도, S factor, 그리고 On-off ratio등을 비교 평가하였다. 소자의 측정 결과 금속 박막층의 길이에 따른 이동도의 변화를 확인할 수 있었고, 동일 채널 길이에서는 금속 박막층의 길이가 길어짐에 따라 이동도가 증가하는 것을 관찰할 수 있었다. |
| 저자 | 김명주, 조영제, 최덕균 |
| 소속 | 한양대 |
| 키워드 | IGZO; mobility; TFT; AOS |
