| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2010년 가을 (11/11 ~ 11/12, 무주리조트) |
| 권호 | 16권 2호 |
| 발표분야 | C. Energy and the Environment Technology(에너지 및 환경재료) |
| 제목 | 질화물계 LED용 기판소재의 개발과 응용 |
| 초록 | LED 기술은 친환경, 에너지 절약형 기술이다. 적색, 청색, 등색 LED와 청색질화물과 형광체를 이용한 백색 LED 등이 연구 개발되고 있다. 이들 LED칩이 구성되려면 우선 기판이 필요하다. 기판은 사파이어기판, SiC기판 , AlN기판, 및 GaN기판 등이 있는 데 이들 중에 사파이어 기판은 GaN과 불정합성은 있으나 단가가 저렴하고 자외선 투과능이 우수하여, 사파이어표면을 질화물로 개질 처리하여 일반적으로 질화물계 LED 기판으로 사용하고 있다. 사파이아(Sapphire)기판의 제조방법은 EFG(Edge-defined Film-fed Growth)법, 세계에서 널리 활용되고 있는 CZ(Czochralski)법, Ky(Kyropulos), HEM(Heat Exchange Methode) 등의 복수의 단결정법과 VHGF(Vertical-Horizontal Gradient Freezing) 단 결정 성장기술이 실용화되고 있으며 Sapphire 직경 100㎜이상의 잉곳이 제조되고 있다. SiC 벌크결정 성장방법은 승화법, 액상에피택셜법 (LPE법), 고온 CVD법 (HT-CVD 법)이 있는데, SiC 단결정기판은 주로 승화법에 의하여 직경 100㎜ 단결정기판까지 일부 실용화하고 있다. |
| 저자 | 황용길1, 길상철2 |
| 소속 | 1KISTI ReSEAT 프로그램, 2동아대 명예교수 |
| 키워드 | Substrates; Sapphire; Czochralski Methode; Sublimation; MOCVD(Metalorganic Chemical Vapor Deposition) |
