| 초록 |
본 연구에서는 증착 온도의 변화에 따른 라디오파 마그네트론 스퍼터링 방법으로 성장된 BiNbO4:Eu3+ 박막의 구조, 표면 및 광학적 특성을 조사하였다. 스퍼터링 타겟은 고상반응법으로 직경 1인치, 두께 15 mm의 원형 소결체로 직접 제작하였고, 석영 기판 위에 증착 온도 25, 100, 200, 300℃에서 BiNbO4:Eu3+ 박막을 성장시켰다. 박막의 구조, 표면과 광학 특성은 각각 X-선 회절장치, 주사전자현미경, 형광광도계와 자외선-가시광 분광기를 이용하여 측정하였다. 기판 온도 25℃로 증착한 BiNbO4:Eu3+ 박막의 발광 스펙트럼은 파장 305 nm로 여기 시켰을 때, 616 nm (적색)에서 관측되었다. X선 회절장치를 이용하여 결정한 박막의 결정 구조는 ICDD #01-071-1518과 일치하는 삼사정계 (triclinic system)임을 확인하였다. 실험 결과는 증착 온도를 적절히 제어함으로써 최적의 적색 발광 세기를 갖는 형광체 박막을 성장 시킬 수 있음을 제시한다. |
