| 번호 | 제목 |
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Self-separation of GaN Layer Grown by HVPE on MOCVD-GaN/Sapphire Substrates with Implantation of Hydrogen Ion on MOCVD-GaN Layer 이재언, 심재형, 박진성, 심태헌, 박재근 한국재료학회 2018년 가을 학술대회 |
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MOCVD를 이용한 InGaN/GaN 기반 발광다이오드 구조 제작과 발광다이오드에의 응용 주진우, 강은실, 백종협, 이인환 한국재료학회 2007년 봄 학술대회 |
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GaN 성장을 위한 이온 주입된 사파이어 기판의 열처리 효과|Thermal Annealing Effects of Ion Implanted Sapphire(0001) Substrate for GaN 강호재, 진정근, 이재석, 박현규, 연대흠, 노대호, 변동진, 고의관, 이재상, 이재형 한국재료학회 2004년 봄 학술대회 |
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금속 갈륨과 암모니아의 직접반응에 의한GaN 후막성장과 특성 연구|High Temperature Vapor Phase Growth and Characterization of GaN by the Direct Reaction of Ga and NH3 안상현, 양승현, 이상현, 남기석|Sang Hyun Ahn, Seung Hyun Yang, Sang Hyun Lee, Kee Suk Nahm 한국화학공학회 2000년 봄 학술대회 |
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화학기상증착반응기에서 금속 갈륨(Ga)과 암모니아(NH3)의 직접반응에 의한 thick GaN 성장과 특성연구|Growth and Characterization of thick GaN film by the direct reaction of metal Ga and NH3 in CVD reactor 양승현, 안상현, 남기석|Seung Hyun Yang, Sang Hyun Ahn, Kee Suk Nahm 한국화학공학회 1999년 봄 학술대회 |
