| 번호 | 제목 |
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원자층 증착법(ALD)을 이용한 Vanadium oxide 박막 제작 및 전기적 특성 분석 이왕곤, 서형탁, 최효빈, 신희철, 안영환, 김지웅 한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
| 8 |
그래핀 분리막을 통한 Mott Insulator의 멀티레벨 스위칭 특성 강현우, 고민환, 서형탁 한국재료학회 2019년 봄 학술대회 |
| 7 |
Arsenic Free Ovonic Threshold Switch (OTS) for Next Generation Memories Myoung-Su Seo, Sung Min Kim, Hye Ju Kim, Sang Woon Lee 한국재료학회 2017년 가을 학술대회 |
| 6 |
Se 도핑된 GeSb 상변화물질 특성연구 김정훈, 고대홍 한국재료학회 2014년 가을 학술대회 |
| 5 |
GexSb1-x 상변화재료 특성연구 김정훈, 고대홍 한국재료학회 2014년 봄 학술대회 |
| 4 |
Electrical properties of Mo/a-IGZO/BaTiO3/Pt for Nonvolatile Random Access Memory 박홍수, 조영제, 최덕균 한국재료학회 2011년 봄 학술대회 |
| 3 |
Characteristics of GST films prepared by cyclic plasma chemical vapor deposition 석경석, 정하나, 김도형 한국화학공학회 2008년 가을 학술대회 |
| 2 |
Overview of Phase change memory 이 헌 한국화학공학회 2004년 봄 학술대회 |
| 1 |
상변환 메모리 단위소자 시뮬레이레이션|simulation for an phase change random access memory device 구창효, 김성순, 이근호, 이홍림 한국재료학회 2003년 가을 학술대회 |
