화학공학소재연구정보센터
번호 제목
7 High endurance and reliable multi-bit operation in a Ta2O5 based resistive switching device
Min Kyu Yang
한국재료학회 2019년 가을 학술대회
6 Top electrode material dependent resistive switching behavior in Ta2O5 thin film based device
Han-Cheol Ryu, Min Kyu Yang
한국재료학회 2019년 봄 학술대회
5 Bipolar resistive switching behaviour of MnO2 thin film for non-volatile memory devices
Min Kyu Yang, Choi Sun Young, Tae Kuk Ko, Jeon-Kook Lee
한국재료학회 2010년 봄 학술대회
4 Fabrication of Nb/Al and Ta/Al Superconducting Tunnel Junctions
Ho Seop Yoon, Min Kyu Yang, Jeon-Kook Lee, Young-Sik Park, Jang-Hyun Park, Sug-Whan Kim
한국재료학회 2008년 가을 학술대회
3 Effect of Oxygen Annealing in Resistive Switching of MnOx thin films
Min Kyu Yang, Jae-Wan Park, Tae Kuk Ku, Jeon-KooK Lee
한국재료학회 2008년 봄 학술대회
2 ReRAM 응용을 위한 NiO 박막의 저항 변화 특성|Reproducible Resistance Switching in NiO Films for ReRAM Applications
Jae-Wan Park, Jong-Wan Park, Min Kyu Yang, Kyuho Jung, Dal-Young Kim, Jeon-Kook Lee
한국재료학회 2005년 봄 학술대회
1 크롬 이온 도핑된 SrZrO3 perovskite 박막의 Resistive Switching 과 메카니즘|The Resistive Switching Behavior and Mechanism of SrZrO3: Cr Perovskite Thin Films
Min Kyu Yang, Dal-Young Kim, Jae-Wan Park, Kyuho Jung, Tae Kuk Ko, Jeon-Kook Lee
한국재료학회 2005년 봄 학술대회