화학공학소재연구정보센터
번호 제목
13 Mo 하부전극을 통한 Wake-up 현상 억제 Hf0.5Zr0.5O2 캐패시터의 제작 및 특성 평가
유근택, 김세현, 박주용, 이동현, 박민혁
한국재료학회 2021년 가을 학술대회
12 Carbon Nanotube FeRAM Cell Based on Omega-Shaped Ferroelectric Gate
김성찬, 최용석, 임동언, 김형섭, 조정호
한국고분자학회 2019년 가을 학술대회
11 그래핀 분리막을 통한 Mott Insulator의 멀티레벨 스위칭 특성
강현우, 고민환, 서형탁
한국재료학회 2019년 봄 학술대회
10 3-Dimensional Multi-floor ferroelectric nanostructures for Multi-level memory
김진곤, 현승
한국고분자학회 2015년 가을 학술대회
9 Electrical properties of Mo/a-IGZO/BaTiO3/Pt for Nonvolatile Random Access Memory  
박홍수, 조영제, 최덕균
한국재료학회 2011년 봄 학술대회
8 A study on the improvement of retention property  in metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structure
이홍섭, 박형호, 황윤택
한국재료학회 2009년 가을 학술대회
7 Bi3.25La0.75Ti3O12 세라믹의 유전 및 압전 특성에 관한 W 도핑 효과
조종호, 여홍구, 성연수, 김명호, 송태권
한국재료학회 2008년 봄 학술대회
6 Etch characteristics of GeSbTe thin films by inductively coupled plasma reactive ion etching
박익현, 이장우, 정지원
한국공업화학회 2005년 가을 학술대회
5 Pt/SrBi2Nb2O9/Pt/Y2O3/Si 게이트 구조를 가지는 MFMISFET 의 제작 및 특성|Fabrication and characterization of MFMISFETs with Pt/SrBi2Nb2O9/Pt/Y2O3/Si gate structure.
김익수, 심선일, 김용태, 최인훈
한국재료학회 2005년 봄 학술대회
4 FeRAM 소자에서 Al 배선 특성에 미치는 공정 영향 평가|Effects of Process Conditions on Al Metallization Properties in FeRAM Device
조경원, 권순용, 염승진, 김남경, 최은석, 선호정, 홍태환, 이영근, 최시경
한국재료학회 2004년 가을 학술대회