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번호	제목
36	계면 산화막을 적용한 NbO_X 박막의 ReRAM 특성 연구(ReRAM device characteristics of NbO_X thin films with oxidation of interface layer) 황성환, 문경주, 이태일, 명재민 한국재료학회 2013년 가을 학술대회
35	Influence of current compliance level on Ag Bridge formation for Conductive Bridge RAM Han-Vit Jeoung, Hyun Min Seung, Kyoung-Cheol Kwon, Jong-Sun Lee, Myung-Jin Song, Ki-Hyun Kwon, Young Hye Son, Jea-Gun Park 한국재료학회 2013년 가을 학술대회
34	Study of MnO resistive switching random access memory (ReRAM) using layer-by-layer (LbL) process 이치영, 이재갑, 민경식, 조진한 한국재료학회 2013년 가을 학술대회
33	Fabrication of resistive switching device with polyaniline nanoparticles 김예진, 김민근, 정헌상, 이현호 한국공업화학회 2013년 봄 학술대회
32	Effect of interface in graphene oxide resistive switching memory devices 서영대, 이미정, 고무석, 이준혁 한국공업화학회 2013년 봄 학술대회
31	Resistive Switching Properties of Sol-Gel Niobium Pentoxide Films 백현희, 김영훈, 조진한 한국고분자학회 2012년 가을 학술대회
30	Resistive Switching Memory Characteristics of Layer by Layer Assembled Catalase Multilayer Films. 백현희, 고용민, 조진한 한국고분자학회 2012년 가을 학술대회
29	Organic Nonvolatile Resistive Switching Memory Using Nanostructured PS-b-PMMA/PCBM composite Youn Sang Kim 한국고분자학회 2012년 가을 학술대회
28	Optoelectrical properties of polyimide having spiropyran group as a side chain. 김주영, 서혜미, 이승우 한국고분자학회 2012년 봄 학술대회
27	Resistive-Switching-based Nonvolatile Memory Properties of Layer-by-Layer Assembled Protein Multilayers 고용민, 조진한 한국고분자학회 2012년 봄 학술대회