화학공학소재연구정보센터
번호 제목
15 The resistive switching characteristics of Au-NiO-Au segmented nanowires synthesized by electrochemical deposition
이새은, 김동욱, 유봉영
한국재료학회 2011년 봄 학술대회
14 Electrical properties of Mo/a-IGZO/BaTiO3/Pt for Nonvolatile Random Access Memory  
박홍수, 조영제, 최덕균
한국재료학회 2011년 봄 학술대회
13 Improved ReRAM behaviors in Ba0.7Sr0.3TiO3 layer with Nb dopant
정창화, 우성일
한국화학공학회 2010년 가을 학술대회
12 Unipolar and bipolar resistive switching characteristics of ZnO thin film
이승협, 용기중
한국화학공학회 2010년 가을 학술대회
11 ZnO 박막의 두께에 따른 저항 메모리 특성 평가
강윤희, 최지혁, 명재민
한국재료학회 2010년 가을 학술대회
10 Bipolar resistive switching behaviour of MnO2 thin film for non-volatile memory devices
Min Kyu Yang, Choi Sun Young, Tae Kuk Ko, Jeon-Kook Lee
한국재료학회 2010년 봄 학술대회
9 산화공정을 통해 제작 된 전이금속산화물 박막의 저항변화 특성 연구
성용헌, 고대홍, 김상연, 도기훈, 서동찬
한국재료학회 2009년 가을 학술대회
8 Resistance switching behavior of BaTiO3 thin films fabricated by sputtering
정창화, 우성일
한국화학공학회 2009년 봄 학술대회
7 RF Magnetron Sputtering을 이용한 TiO2박막 구조 및 전기적 특성에 관한 연구
황선용, 정호용, 이헌
한국재료학회 2008년 가을 학술대회
6 Resistance Switching Behaviors of Hafnium Oxide for Non-volatile ReRAM Device Applications
이승협, 용기중
한국화학공학회 2008년 봄 학술대회