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Modified Hydride VPE 법을 이용한 Sapphire 기판 상의 GaN 성장에 관한 연구|Studies on the Growth of GaN Films on Sapphire Substrates by Modified Hydride VPE Technique 윤덕선, 여석기, 서정찬, 최진식, 최순욱, 이관석, 박진호|Deoksun Yoon, Seokki Yeo, Jeongchan Seo, Jinsik Choi, Sunuk Choi, Kwansuk Lee an 한국화학공학회 2000년 가을 학술대회 |
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전산 유체 역학을 이용한 Modified HVPE 반응기의 유동해석|Analysis of the Fluid Flow in the Modified HVPE Reactor by Computational Fluid Dynamics 최순욱, 박진호|Sunuk Choi, Chinho Park 한국화학공학회 2000년 가을 학술대회 |
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OMVPE법에 의해 성장된 Sapphire 기판위의 GaN 박막의 특성 분석|Characterization of GaN Thin Films grown on Sapphire Substrate by OMVPE Technique 최진식, 박진호|Jinsik Choi, Chinho Park 한국화학공학회 2000년 가을 학술대회 |
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고밀도 플라즈마를 이용한 반도체 재료 식각기술|Etching Technology of Semiconductor Materials in High Density Plasmas 한윤봉|Yoon Bong Hahn 한국화학공학회 2000년 봄 학술대회 |
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Modified Hydride VPE 법에 의한 GaN 성장에 관한 연구|Studies on the Growth of GaN Films by Modified Hydride VPE Technique 최진식, 서정찬, 윤덕선, 여석기, 박진호|Jinsik Choi, Jungchan Seo, Deoksun Yoon, Seokki Yeo, Chinho Park 한국화학공학회 2000년 봄 학술대회 |
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GaN 증착용 Modified HVPE 반응기의 전산 유체 역학적 설계|Design of the Modified HVPE Reactor for GaN Growth Using Computational Fluid Dynamics Package 최순욱, 박진호|Sunuk Choi, Chinho Park 한국화학공학회 2000년 봄 학술대회 |
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금속 갈륨과 암모니아의 직접반응에 의한GaN 후막성장과 특성 연구|High Temperature Vapor Phase Growth and Characterization of GaN by the Direct Reaction of Ga and NH3 안상현, 양승현, 이상현, 남기석|Sang Hyun Ahn, Seung Hyun Yang, Sang Hyun Lee, Kee Suk Nahm 한국화학공학회 2000년 봄 학술대회 |
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Modified Hydride VPE법을 이용한 GaN 증착 공정의 열역학적 해석|Thermodynamic Analysis of the GaN Deposition Processesin a Modified Hydride VPE Reactor 서정찬, 최진식, 윤덕선, 여석기, 박진호|Jeongchan Seo, Jinsik Choi, Deoksun Yoon, Seokki Yeo, Chinho Park 한국화학공학회 2000년 봄 학술대회 |
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Cl2/Ar 유도결합 플라즈마를 이용한 GaN 박막의 식각|Inductively Coupled Plasma Etching of GaN Films with Cl2/Ar Discharges 한윤봉|Bum-Chul Cho, Yeon-Ho Im, Jin-Soo Park, Yoon Bong Hahn 한국화학공학회 2000년 봄 학술대회 |
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사파이어 기판의 방향성에 따른 GaN 박막 성장|Growth of GaN Thin Films on Sapphire Substrate with Varying Orientations 이순애, 박진호|Soonae Lee, Chinho Park 한국화학공학회 1999년 가을 학술대회 |