화학공학소재연구정보센터
번호 제목
55 Recovery of Electrical Properties by Surface Treatment after Mesa Etching in InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light Emitting Diodes
강형곤, 최락준, 한명수, 윤창주, 한윤봉
한국화학공학회 2003년 가을 학술대회
54 AlInGaN - based multiple quantum well laser diodes for Blu-ray Disc application|AlInGaN - based multiple quantum well laser diodes for Blu-ray Disc application
O. H. Nam, K. H. Ha, J. S. Kwak, S. N. Lee, K. K. Choi, T. H. Chang, S. H. Chae, W. S. Lee, Y. J. Sung, H. S. Paek, J. H. Chae, T. Sakong, Y. Kim, Y. Park
한국재료학회 2003년 가을 학술대회
53 Improvement in LED structure for enhanced light-emission|Improvement in LED structure for enhanced light-emission
Seong-Ju Park
한국재료학회 2003년 가을 학술대회
52 Optical characteristics of GaN-based quantum structures|Optical characteristics of GaN-based quantum structures
조용훈
한국재료학회 2003년 가을 학술대회
51 Ohmic contacts to p-type GaN for high brightness LED applications|Ohmic contacts to p-type GaN for high brightness LED applications
Tae-Yeon Seong
한국재료학회 2003년 가을 학술대회
50 고출력 GaN-based LED의 열적 설계 및 패키징|고출력 GaN-based LED의 열적 설계 및 패키징
신무환
한국재료학회 2003년 가을 학술대회
49 GaN 단결정에 의해 제조된 Ga2O3 나노물질의 구조|The structure of Ga2O3 nanomaterials synthesized by the GaN single crystal
박상언, 조채룡, 김종필, 정세영
한국재료학회 2003년 가을 학술대회
48 공정조건에 따른 GaN나노와이어의 형상변화|Morphological variation in GaN nanowires with processing conditions
김대희, 박경수, 이정철, 성윤모
한국재료학회 2003년 가을 학술대회
47 이온주입된 Si(111)에 AlN 완충층을 이용하여 성장시킨 GaN 박막의 특성|The characteristics of AlN buffered GaN on ion implanted Si(111)
강민구, 진정근, 이재석, 노대호, 양재웅, 변동진
한국재료학회 2003년 가을 학술대회
46 GaN 성장을 위한 이온 주입된 사파이어 기판의 효과|Effect of ion implanted sapphire substrates for GaN
이재석, 진정근, 강민구, 노대호, 성윤모, 변동진
한국재료학회 2003년 가을 학술대회