| 31 |
Comparison of back-gate and top-gate SnS2 field-effect transistor with hBN substrate and graphene electrodes
이정수, 이건우, 서호준, 김소희, 설원제, 이승백
한국재료학회 2017년 봄 학술대회 |
| 30 |
Ultrathin Flexible Transparent Oxide Thin-Film Transistor via Inorganic Laser Lift-Off Process
이한얼, 이승현, Daniel J. Joe, 임태홍, 이건재
한국재료학회 2016년 가을 학술대회 |
| 29 |
Interface Properties of MoS2 Transistors
최웅
한국재료학회 2016년 봄 학술대회 |
| 28 |
Phase change of MoS2 few-layer by sulfur annealing
오태경, 이교섭, 민형섭, 주현수, 전형탁, 이전국
한국재료학회 2016년 봄 학술대회 |
| 27 |
The Effect of Surface Energy on Atomic Layer Deposited High-k Dielectric on MoS2 Crystals
최웅, 최유라, 이현아, 박선영
한국재료학회 2015년 가을 학술대회 |
| 26 |
MoS2 crystallinity improvement by heat treatment
이전국, 전형탁, 민형섭, 오태경
한국재료학회 2015년 가을 학술대회 |
| 25 |
Fabrication of few-layer MoS2 by sputtering
오태경, 민형섭, 전형탁, 이전국
한국재료학회 2015년 봄 학술대회 |
| 24 |
Improvement in the bias stability of a-IGZO thin-film transistors using a Si3N4 gate insulator with a SiO2 nano interlayer
한동석, 박재형, 강유진, 윤돈규, 이상호, 박종완
한국재료학회 2012년 가을 학술대회 |
| 23 |
The study of the electric characteristics of a-IGZO TFT with TiN/Cu electrode depending on the thickness of TiN as an adhesion layer
이상헌, 박주현, 최학영, 신석윤, 함기열, 김지훈, 전형탁
한국재료학회 2012년 봄 학술대회 |
| 22 |
Improvement in the bias stability of IGZO thin film transistors using Al2O3 buffer layer growth on Si3N4 dielectric layer
박주현, 방석환, 이승준, 고영빈, 최학영, 신석윤, 김지훈, 함기열, 이상헌, 전형탁
한국재료학회 2011년 가을 학술대회 |
