화학공학소재연구정보센터
번호 제목
192 Electrical properties of chemical vapor deposited MoS2 thin films
Chaeyoung Hwang, Changki Jung, Hae In Yang, Woong Choi
한국재료학회 2019년 봄 학술대회
191 Wafer-scale and selective-area growth of high-quality hexagonal boron nitride on Ni(111) by metal-organic chemical vapor deposition
정호경, 김재원, 문석호, 김종규
한국공업화학회 2019년 봄 학술대회
190 Self-separation of GaN Layer Grown by HVPE on MOCVD-GaN/Sapphire Substrates with Implantation of Hydrogen Ion on MOCVD-GaN Layer
이재언, 심재형, 박진성, 심태헌, 박재근
한국재료학회 2018년 가을 학술대회
189 Air Tunnel Fabrication in GaN/Sapphire for Chemical Lift-off
Woo Seop Jeong, Hyun-A Ko, Seunghee Cho, Min Joo Ahn, Doo Won Lee, Kyu-Yeon Shim, Seong Ho Kang, Dongjin Byun
한국재료학회 2018년 가을 학술대회
188 Air Void Formation on Patterned Sapphire Substrate using Photoresist Carbonization Process
강성호, 정우섭, 조승희, 고현아, 이두원, 안민주, 심규연, 변동진
한국재료학회 2018년 가을 학술대회
187 GaN Template Fabrication on Trapezoid Patterned Sapphire Substrate using SOG Mask with Different Buffer Layers
심규연, 정우섭, 조승희, 고현아, 이두원, 안민주, 강성호, 변동진
한국재료학회 2018년 가을 학술대회
186 The epitaxial growth of GaN film with air tunnel for light extraction efficiency of LEDs and chemical lift-off process
이두원, 정우섭, 조승희, 고현아, 안민주, 심규연, 강성호, 변동진
한국재료학회 2018년 가을 학술대회
185 GaN epitaxial growth using Ion implantaion process on  Patterned Sapphire Substrate.
이두원, 정우섭, 조승희, 고현아, 안민주, 심규연, 변동진
한국재료학회 2018년 봄 학술대회
184 Development of GaN Epitaxial Process including Air Void to improve Light Extraction Efficiency of Light Emitting Diode
정우섭, 조승희, 고현아, 이두원, 안민주, 심규연, 변동진
한국재료학회 2018년 봄 학술대회
183 Evaluation of Properties of GaN by Growth Conditions of AlN Buffer Layer Using Mass-Production Sputtering Equipment
Kyu-Yeon Shim, Woo-Seop Jeong, Seung-Hee Cho, Hyun-A Ko, Doo Won Lee, Min Joo Ahn, Dongjin Byun
한국재료학회 2018년 봄 학술대회