| 번호 | 제목 |
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Oxide 단결정 성장을 위한 초크랄스키 공정에서 결정-용융액 계면 모양에 대한 해석 적 연구|Analytical studies on the crystal-melt interface shape in the Czochralski process for the oxide single crystal 정자훈, 고영덕, 강인석|J.H. Jeong, Y. Koh, I.S. Kang 한국화학공학회 1998년 가을 학술대회 |
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실리콘 초클랄스키 공정에서 점 결함 밀도에 대한 공정 변수의 영향 연구|Study of the effects of operating parameters on the densities of point defects in silicon single crystal in Czochralski process 김종선, 이태용|Jong-Seon Kim, Tae-Yong Lee 한국화학공학회 1998년 봄 학술대회 |
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쵸크랄스키 공정에서 결정직경에 미치는 성장변수의 영향|Effects of Growth Parameters on the Crystal Diameter in Czochralski Process 왕종회, 김도현|Jong Hoe Wang, Do Hyun Kim 한국화학공학회 1997년 가을 학술대회 |
| 1 |
실리콘 단결정 표면온도 분포의 최적화|Optimization of surface temperature profile of a silicon single crystal 고영덕, 정자훈, 강인석|Y. Koh, J. H. Jeong, I. S. Kang 한국화학공학회 1996년 가을 학술대회 |
