화학공학소재연구정보센터
Korean Chemical Engineering Research, Vol.46, No.4, 692-696, August, 2008
2-부텐으로부터 위치 이성화 반응을 통한 선택적 1-부텐의 제조 공정
Process of the Selective Production of 1-Butene through Positional Isomerization from 2-Butenes
E-mail:
초록
C4 잔사유 III는 올레핀의 함량이 높음에도 불구하고 이를 활용할 방법이 그리 많지 않다. 대부분 수소화반응을 통하여 부탄으로 전환하여 LPG로 판매하고 있다. C4 잔사유 III는 매우 적은 이소부텐 및 이소부탄을 포함한 2-부텐이 농후한 유분으로, 이 유분 중 2-부텐은 400~600 ℃에서 소성시켜 제조한 에타 알루미나 촉매로 이성화하여 열역학적 평형 수율 근처에서 선택적 위치 이성화시켜 1-부텐으로 전환된다. 전체 공정은 이성화 반응기, 고선택적으로 1-부텐으로 전환시킨 유분을 농축하고 반응물을 제조하는 1-부텐 분리탑과 고순도의 1-부텐 컬럼으로 공정으로 구성되어있다. 1-부텐 생산량은 종래의 분리에 의한 것보다 40~60 wt% 증가한다.
There is not much method of using C4 Raffinate III, despite having high olefin contents. The majority of the C4 Raffinate III have been converted into n-butane through hydrogenation, and sold as LPG. The C4 Raffinate III is rich 2-butenes with very low isobutene and isobutene contents. The 2-butenes are converted into 1-butene in the vicinity of thermodynamic equilibrium yield through positional isomerization with n-almumina catalyst calcinated at 400~600 ℃. The overall process is composed of isomerization-reactor, de-1-buteneizer to prepare the reactants and to enrich reactive products, and 1-butene column to product a high purity 1-butene. The production of 1-butene increases by 40~60 wt% with the selective positional isomerization from the existing separation method.
  1. Morgan ML, C4 chemistry- Manufacture and Use of C4 Hydrocarbons,” 9-16 (1997)
  2. Forlani O, Ancillotti F, Jover B, Resofski G, Gati G, Appl. Catal., 67(1), 237 (1990)
  3. Ancillotti F, Forlani O, Jover B, Resofski G, Gati G, Appl. Catal., 67(1), 249 (1990)
  4. Hsing HH, U.S. Patent No. 5,043,523 (1991)
  5. Myers JW, U.S. Patent No. 4,289,92 (1981)
  6. Renato P, Alfredo O, Roberto T, Gianni D, U.S. Patent No. 5,955,640 (1999)
  7. Michel D, Francois H, Jean-Charles V, Blaise D, Alain F, U.S. Patent No. 6,242,662 B1 (2001)
  8. Jeon JK, Ihm JH, Lee JH, Kim YS, Catalysis, 21(2), 13 (2005)
  9. Lee JH, Lee SJ, Jeon JK, Ihm JH, Seong KC, Korea Patent No. 10-2007-52714 (2007)
  10. Ko MS, Lee JH, Lee SJ, Lee HD, Park MK, Yim YJ, Jeon JK, Ihm JH, Korea Patent No. 10-2008-24961 (2008)