반도체가 ULSI 시대에 들어서게 됨에 따라 초 미세화기술의 시대로 접어들고 있다. 이와 같이 회로가 고집적, 고성능화함에 따라 미세 오염물은 제품의 수율 및 품질 신뢰성에 점차 큰 영향을 주고 있으며, 이로 인하여 반도체가 초청정 표면을 요구함에 따라 기존의 습식세정은 그 한계를 보이고 있어 새로운 건식세정기술을 필요로 하고 있다. 이에 상용화 가능성이 기대되는 건식세정기술로 초임계 이산화탄소를 이용하는 반도체 웨이퍼 세정기술을 소개하고자 한다.