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Korean Journal of Materials Research, Vol.9, No.5, 441-445, May, 1999
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PDP 보호막용 MgO 박막의 저전압 특성에 미치는 알카리토금속산화물 첨가 효과
Effect of Alkaline Earth Metal Oxides addition on the Low-voltage Characteristics of MgO Films as a Protective layer for AC PDPs
조진희, 김락환, 김정열1, 이유기1, 김희재2, 박종완
  • 한양대학교 금속공학과
  • 1위덕대학교 반도체공학과
  • 2한국육군과학대학교
Jinhui Cho, Rahkhwan Kim, Jung-Yeul Kim1, You-Kee Lee1, Hee-Jae Kim2, and Jong-Wan Park
  • Dept. of Metallurgical Engineering, Hanyang University, Seoul 133- 791, Korea
  • 1Dept. of Semiconductor Engineering, Uiduk University, Kyungju, Korea
  • 2Dept. of Ordnace Engineering, Korea Military Academy, Seoul, Korea
초록
플라즈마화상표시기 (Plasma Display Panel; PDP) 의 동작전압을 낮추기 위하여 알카리토금속산화물을 MgO에 첨가한 새로운 보호막이 전자선중착법에 외하여 제조되었다. BaO를 첨가하는 경우는 BaO 의 높은 활성화 에너지 때운에 방전천압이 오히려 상숭하였으나 SrO와 CaO를 첨가한 MgO를 보호막으로 적용한 패널은 방전전압이 순수한 MgO에 비하여 우수하였다. Mg1-x-ySrxCayO 박막의 경우 최적의 조성은 방전전압만을 고려했을 때 출발물질의 MgO : SrO : CaO가 6:2:2 일 때로 이것은 기폰의 MgO 박막에 비하여 20V 정도 작은 방전개시전압으로 제작된 박막중 가장 낮은 값을 가졌다. 증착된 모든 박막의 가시광선 영역에서의 투과도는 81% 이상으로 매우 우수하였다.
Alkaline earth metal oxides were added to the conventional MgO films as a protective layer for dielectric materials to have lower firing voltage(Vf) of the plasma display panel(PDP). Panels with various protective layers of MgO-alkaline earth metal oxides were prepared on glass by using e-beam evaporation and its effect on firing voltage characteristics were investigated. (Ba-Mg)O films had poor voltage characteristics because of higher activation energy of BaO. But, (Sr-Mg)O, (Ca-Mg)O and (Ca-Sr-Mg) O had better voltage characteristics than the conventional MgO. A mixture film of (Mg-Ca-Sr)O show the lowest firing voltage which is less than that of MgO by 20V. The chemical composition to have lowest firing voltage is MgO:SrO:CaO ratio of 6:2:2. The mixture of MgO-Alkaline earth metal oxides films showed good transmittance properties within the visual range.
  1. 박명호, 전자공학회지, 24(12), 1451 (1997)
  2. Urade T, IEEE Trans. Electron Devices, ED-23, 313 (1976)
  3. 황기웅, 전자디스프레이, 2(12), 2 (1996)
  4. Shinoda T, Uchiike H, Andoh S, IEEE Trans. Electron Devices, ED-26, 1163 (1979)
  5. Aooelfotoh MO, IEEE Trans. Electron Devices, 29, 247 (1982)
  6. Ahn SI, Yoshida K, Sawa M, Uchiike H, Park WT, Kim JM; Proceeding of Asia Dispaly 98 p.397.
  7. 月刊電子部品, 96년 11 월호 p.47 (1996).
  8. Shigeo Mikoshiba SID 1993 Seminar F-2.